NOR FLASH采用“或非”邏輯門電路flsh，可被電子刪除和重編電子非易失性計算機存儲媒體。

閃存(Flash)存儲單元為三端設(shè)備flsh，即源極、漏極和柵極。由于柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，浮置柵極中flsh的電荷不會泄漏，因此閃存具有記憶力。

NOR閃存擦除數(shù)據(jù)仍基于隧道效應(yīng)（電流從浮置柵極到硅底層），但在寫入數(shù)據(jù)時采用熱電子注入方法（電流從浮置柵極到源極）。在NOR閃存中，每個存儲模塊flsh的一端連接到源極，另一端連接到類似NOR門flsh的位線。

NOR的XIP特性，應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存中運行，無需在系統(tǒng)RAM中查看代碼。NOR傳輸效率高，1-4MB體積小時成本效率高，但寫入和擦除速率低，對其特性影響很大。

NOR FLASH屬于非易失性存儲，NOR讀取速度快，適用于可擦除寫入，作為代碼存儲的關(guān)鍵器件。

NOR作為原始代碼的載體，廣泛應(yīng)用于各個智能行業(yè)。主板BIOS、數(shù)字機頂盒、家庭網(wǎng)關(guān)、路由器、loT、汽車電子、可穿戴設(shè)備、安全監(jiān)控、人工智能等方面。其中，智能可穿戴、AMoleD屏幕、手機攝像、lot設(shè)備、汽車電子、5G基站、增強現(xiàn)實、虛擬現(xiàn)實等都有很大的增長空間。